參數(shù)資料
型號： IRG4BC20FDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣GATEBIPOLAR晶體管索夫爾超快恢復二極管
文件頁數(shù)： 1/11頁
文件大小： 323K
代理商： IRG4BC20FDPBF
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相關PDF資料
PDF描述
IRG4BC20FD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20FD-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20FD-STRL CAP 0.01UF 25V 10% X7R SMD-0508 TR-7 PLATED-NI/SN
IRG4BC20KDS CAP 50UF 5.5V +80-20% SUPERCAP EXT-SO ULTRA-LOWESR HIGH-PWR
IRG4BC20UDS 320 x 240 pixel format, LED or CFL Backlight
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC20FDPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRG4BC20FD-S 功能描述:IGBT FAST 600V 16A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20FD-SPBF 功能描述:IGBT N-CH W/DIODE 600V 16A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20FD-STRL 功能描述:IGBT FAST 600V 16A LEFT D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20FDSTRLP 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 16A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
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