參數(shù)資料
型號: IRG4BC20FDPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE
中文描述: 絕緣GATEBIPOLAR晶體管索夫爾超快恢復(fù)二極管
文件頁數(shù): 6/11頁
文件大?。?/td> 323K
代理商: IRG4BC20FDPBF
6
www.irf.com
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0.1
1
10
100
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
F
I
Forward Voltage Drop - V (V)
T = 150°C
T = 125°C
T = 25°C
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0
4
8
12
16
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I , Collector-to-emitter Current (A)
T
R = 50Ohm
T = 150 C
V = 480V
V = 15V
°
1
10
100
1
10
100
1000
V = 20V
T = 125 C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
SAFE OPERATING AREA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC20FD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20FD-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20FD-STRL CAP 0.01UF 25V 10% X7R SMD-0508 TR-7 PLATED-NI/SN
IRG4BC20KDS CAP 50UF 5.5V +80-20% SUPERCAP EXT-SO ULTRA-LOWESR HIGH-PWR
IRG4BC20UDS 320 x 240 pixel format, LED or CFL Backlight
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC20FDPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
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IRG4BC20FD-SPBF 功能描述:IGBT N-CH W/DIODE 600V 16A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20FD-STRL 功能描述:IGBT FAST 600V 16A LEFT D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20FDSTRLP 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 16A 3PIN D2PAK - Tape and Reel