參數(shù)資料
型號： IRG4BC15UD-L
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A)
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 2.02V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 7.8A）
文件頁數(shù)： 5/10頁
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代理商： IRG4BC15UD-L
IRG4BC15MD
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
0
10
Q , Total Gate Charge (nC)
20
30
40
50
0
4
8
12
16
20
V
G
I
V
= 400V
= 9.0A
CC
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
RG, Gate Resistance (
)
2.00
2.10
2.20
2.30
T
VCC = 480V
VGE = 15V
TJ = 25°C
I C = 8.6A
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
TJ, Junction Temperature (°C)
0.1
1
10
100
T
RG = 75
VGE = 15V
VCC = 480V
IC = 17A
IC = 9.0A
IC = 4.3A
1
10
100
0
100
200
300
400
500
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
C
C
V
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
ies
C
oes
C
res
相關PDF資料
PDF描述
IRG4BC15UD-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A)
IRG4BC15UD-LPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIOD
IRG4BC15UD-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIOD
IRG4BC15UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4BC20FDPBF INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRG4BC15UD-S 功能描述:DIODE IGBT 600V 14A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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