參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC15UD-SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIOD
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)DIOD
文件頁(yè)數(shù)： 1/12頁(yè)
文件大?。?/td> 326K
代理商： IRG4BC15UD-SPBF
IRG4BC15UD-SPbF
IRG4BC15UD-LPbF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Features
UltraFast: Optimized for high frequencies from10 to
30 kHz in hard switching
IGBT Co-packaged with ultra-soft-recovery
antiparallel diode
Industry standard D
2
Pak & TO-262 packages
Lead-Free
E
G
n-channel
C
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
= 2.02V
@V
GE
= 15V, I
C
= 7.8A
Thermal Resistance
UltraFast CoPack IGBT
Benefits
Best Value for Appliance and Industrial Applications
High noise immune "Positive Only" gate drive-
Negative bias gate drive not necessary
For Low EMI designs- requires little or no snubbing
Single Package switch for bridge circuit applications
Compatible with high voltage Gate Driver IC's
Allows simpler gate drive
www.irf.com
1
D
2
Pak
IRG4BC15UD-S
TO-262
IRG4BC15UD-L
Parameter
Collector-to-Emitter Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Diode Continuous Forward Current
Diode Maximum Forward Current
Gate-to-Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 sec.
Max.
600
14
7.8
42
42
4.0
16
± 20
49
19
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
A
V
-55 to +150
°C
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)
Parameter
Junction-to-Case - IGBT
Junction-to-Case - Diode
Case-to-Sink, flat, greased surface
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)
Weight
Min.
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ.
–––
–––
0.50
–––
–––
Max.
2.7
7.0
–––
80
40
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Wt
°C/W
2 (0.07)
g (oz)
08/27/04
PD - 95781
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC15UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4BC20FDPBF INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE
IRG4BC20FD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20FD-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20FD-STRL CAP 0.01UF 25V 10% X7R SMD-0508 TR-7 PLATED-NI/SN
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC15UD-STRL 功能描述:DIODE IGBT 600V 5.5A COPAK D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC15UDSTRLP 功能描述:IGBT 模塊 600V 7.800A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4BC20F 功能描述:IGBT FAST 600V 16A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20FD 功能描述:IGBT FAST 600V 16A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20FDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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