參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC10SDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 278K
代理商： IRG4BC10SDPBF
IRG4BC10SDPBF
www.irf.com
5
0
20
R , Gate Resistance (Ohm)
40
60
80
100
3.30
3.35
3.40
3.45
3.50
3.55
3.60
T
V = 480V
V = 15V
T = 25 C
I = 8A
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
V
I
= 400V
= 8A
CC
C
1
10
100
0
100
200
300
400
500
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
ies
C
oes
C
res
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.1
1
10
100
T , Junction Temperature ( C )
T
R = Ohm
V = 15V
V = 480V
I = A
16
I = A
I = A
4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC10UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISROT WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE UltraFast CoPack IGBT
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參數(shù)描述
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IRG4BC10SD-SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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