參數(shù)資料
型號： IRG4BC10SDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 278K
代理商： IRG4BC10SDPBF
IRG4BC10SDPBF
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
80μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
T = 150 C
°
1
10
100
6
8
10
12
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
T = 150 C
0.1
1
10
100
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
f, Frequency (KHz)
L
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125°C
T = 90°C
Gate drive as specified
Power Dissipation = W
9.2
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRG4BC10SD-SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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