參數(shù)資料
型號： IRG4BC10SD-L
廠商： International Rectifier
英文描述： 16 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.10V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 2.0安培）
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大小： 217K
代理商： IRG4BC10SD-L
IRG4BC10SD-S/L
www.irf.com
7
Fig. 16
- Typical Stored Charge vs. di
f
/dt
Fig. 17
- Typical di
(rec)M
/dt vs. di
f
/dt,
Fig. 14
- Typical Reverse Recovery vs. di
f
/dt
Fig. 15
- Typical Recovery Current vs. di
f
/dt
d
Q
I
t
20
25
30
35
40
45
50
100
1000
dif
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
0
2
4
6
8
10
12
14
100
1000
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
di /dt - (A/μs)
0
40
80
120
160
200
100
1000
di /dt - (A/μs)
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
100
1000
100
1000
di /dt - (A/μs)
A
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
相關PDF資料
PDF描述
IRG4BC10KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4BC10UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4BC10SD-S 16 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
IRG4BC10SDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4BC10UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISROT WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE UltraFast CoPack IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRG4BC10SD-S 功能描述:DIODE IGBT 600V 14A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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IRG4BC10SD-STRL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB
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