參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC10SD-L
廠商： International Rectifier
英文描述： 16 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.10V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 2.0安培）
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大小： 217K
代理商： IRG4BC10SD-L
IRG4BC10SD-S/L
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
80μs PULSE WIDTH
T = 25 C
T = 150 C
°
1
10
100
6
8
10
12
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
T = 150 C
0.1
1
10
100
f , Frequency ( kHz )
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
L
Duty cycle : 50%
Tj = 125
°
C
Tsink = 90
°
C Ta = 55
°
C
Gate drive as specified
Turn-on losses include effects of
reverse recovery
Power Dissipation = 9.2W for Heatsink Mount
Power Dissipation = 1.8W for typical
PCB socket Mount
60% of rated
voltage
Ideal diodes
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC10KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4BC10UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4BC10SD-S 16 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
IRG4BC10SDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4BC10UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISROT WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE UltraFast CoPack IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC10SD-LPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC10SDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC10SD-S 功能描述:DIODE IGBT 600V 14A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC10SD-SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC10SD-STRL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB
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