參數(shù)資料
型號： IRFZ44ZSPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 13.9mヘ , ID = 51A )
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的RDS（on）\u003d十三點九米ヘ，身份證\u003d 51A條）
文件頁數(shù)： 5/13頁
文件大?。?/td> 295K
代理商： IRFZ44ZSPBF
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 10.
Normalized On-Resistance
vs. Temperature
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
ID
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
RD
ID = 31A
VGS = 10V
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.8487 0.00044
0.6254 0.00221
0.3974 0.01173
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci= i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
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PDF描述
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