參數(shù)資料
型號(hào)： IRFZ44EPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大小： 156K
代理商： IRFZ44EPBF
IRFZ44EPbF
www.irf.com
5
R
D
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
90%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
V
DS
Duty Factor
≤ 0.1 %
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
25
50
175
0
10
20
30
40
50
T , Case Temperature (°
I
D
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
V
DS
10%
Pulse Width
≤ 1
μs
V
DD
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
T , Case Temperature ( C)
I
D
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ44NPBF HEXFET-R Power MOSFET
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IRFZ48NlPBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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