參數(shù)資料
型號： IRFZ44EPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 156K
代理商： IRFZ44EPBF
IRFZ44EPbF
4
www.irf.com
Forward Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175 C
= 25°
°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
1
10
100
0
500
1000
1500
2000
2500
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
10
20
30
40
50
60
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
29
V
= 30V
DS
V
= 48V
DS
1
10
100
1000
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
°
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PDF描述
IRFZ44NPBF HEXFET-R Power MOSFET
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IRFZ48NlPBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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