參數(shù)資料
型號： IRFZ34E
廠商： International Rectifier
英文描述： N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： N溝道HEXFET功率MOSFET的（不適用溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 120K
代理商： IRFZ34E
IRFZ34E
Notes:
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 17A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 17A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
63
130
1.3
95
200
V
ns
nC
Starting T
J
= 25°C, L = 670μH
R
G
= 25
, I
AS
= 17A. (See Figure 12)
I
SD
≤
17 A, di/dt
≤
200A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Source-Drain Ratings and Characteristics
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
60
–––
––– 0.056 –––
–––
––– 0.042
2.0
–––
7.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
5.1
–––
30
–––
22
–––
30
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 17A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 17A
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 17A
V
DS
= 48V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 30V
I
D
= 17A
R
G
= 13
R
D
= 1.8
,
See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(ON)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
S
4.0
–––
25
250
100
-100
30
6.7
12
–––
–––
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
680
220
80
–––
–––
–––
pF
–––
–––
100
–––
–––
28
A
nH
L
D
Internal Drain Inductance
–––
4.5
–––
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
I
GSS
ns
μA
nA
S
D
G
S
D
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ34NLPbF HEXFET Power MOSFET
IRFZ34NSPBF HEXFET Power MOSFET
IRFZ34NL 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRFZ34NS 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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IRFZ34LPBF 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFZ34N 功能描述:MOSFET MOSFET, 55V, 26A, 40 mOhm, 22.7 nC Qg, TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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