參數(shù)資料
型號(hào)： IRFZ24VLPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大小： 278K
代理商： IRFZ24VLPBF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
4
8
12
16
20
24
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
17A
V
= 12V
DS
V
= 30V
DS
V
= 48V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
°
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
200
400
600
800
1000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ24VSPBF HEXFET Power MOSFET
IRFZ24V Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=60mohm, Id=17A)
IRFZ34E N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFZ34NLPbF HEXFET Power MOSFET
IRFZ34NSPBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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