參數(shù)資料
型號(hào): IRFWI550A
廠商: Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述: Advanced Power MOSFET
中文描述: 先進(jìn)的功率MOSFET
文件頁數(shù): 6/7頁
文件大小: 266K
代理商: IRFWI550A
N-C HANNEL
POWER MOSFET
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by “R
G
I
S
controlled by Duty Factor “D”
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
IRFW/I550A
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