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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFWI550A |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | Advanced Power MOSFET |
| 中文描述： | 先進(jìn)的功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 266K |
| 代理商： | IRFWI550A |
N-C HANNEL
POWER MOSFET
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
IRFW/I550A
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
@ Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
Top : 1 5 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
0
10
1
10
2
25
o
C
175
o
C
- 55
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. V
DS
= 40 V
3. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
25
50
I
D
, Drain Current [A]
75
100
125
150
175
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
@ Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
D
]
D
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
10
0
10
1
10
2
175
o
C
25
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
10
0
10
1
0
1000
2000
3000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted )
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
20
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
30
40
50
60
70
80
0
5
10
V
DS
= 80 V
V
DS
= 50 V
V
DS
= 20 V
@ Notes : I
D
=40.0 A
V
G
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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