參數(shù)資料
型號： IRFU3410
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 140K
代理商： IRFU3410
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
33
–––
––– 37 56 I
D
= 18A
–––
10
–––
–––
11
–––
–––
12
–––
–––
27
–––
–––
40
–––
–––
13
–––
–––
1690 –––
–––
220
–––
–––
26
–––
–––
1640 –––
–––
130
–––
–––
250
–––
Conditions
V
DS
= 25V, I
D
= 18A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
S
nC
V
DS
= 50V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 50V
I
D
= 18A
R
G
= 9.1
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 80V
pF
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
140
18
Units
mJ
A
E
AS
I
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 18A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 18A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
84
260
1.3
–––
–––
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
31
125
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.11 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
2.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Min. Typ. Max. Units
100
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
34
–––
–––
–––
–––
–––
39
4.0
20
250
200
-200
m
V
V
GS
= 10V, I
D
= 18A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR3410 Power MOSFET
IRFU3504ZPbF AUTOMOTIVE MOSFET
IRFU3518PbF HEXFET Power MOSFET
IRFU4104PBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 5.5mヘ , ID = 42A )
IRFR4104PBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 5.5mヘ , ID = 42A )
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFU3412 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET
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