參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU3410
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大?。?/td> 140K
代理商： IRFU3410
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 100°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
C
= 25°C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
A
= 25°C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 0.71 mW°C
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt
T
J
Operating Junction and
T
STG
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Parameter
Max.
100
Units
V
Drain-Source Voltage
± 20
31
22
125
110
3.0
A
W
15
V/ns
°C
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
www.irf.com
1
9/23/02
IRFR3410
IRFU3410
HEXFET Power MOSFET
V
DSS
100V
R
DS(on)
max
39m
I
D
31A
Notes
through are on page 10
D-Pak
IRFR3410
I-Pak
IRFU3410
High frequency DC-DC converters
Benefits
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1.4
40
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
Absolute Maximum Ratings
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR3410 Power MOSFET
IRFU3504ZPbF AUTOMOTIVE MOSFET
IRFU3518PbF HEXFET Power MOSFET
IRFU4104PBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 5.5mヘ , ID = 42A )
IRFR4104PBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 5.5mヘ , ID = 42A )
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU3410PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU3411 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package
IRFU3411PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 100V, 32A, 44 MOHM, 48 NC QG, I-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 32A 3PIN IPAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 100V 32A I-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 100V, 32A, I-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 100V, 32A, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):44mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation ;RoHS Compliant: Yes
IRFU3412 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET
IRFU3412PBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 48A I-PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*