參數(shù)資料
型號： IRFR3410
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大小： 140K
代理商： IRFR3410
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 100°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
C
= 25°C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
A
= 25°C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 0.71 mW°C
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt
T
J
Operating Junction and
T
STG
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Parameter
Max.
100
Units
V
Drain-Source Voltage
± 20
31
22
125
110
3.0
A
W
15
V/ns
°C
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
www.irf.com
1
9/23/02
IRFR3410
IRFU3410
HEXFET Power MOSFET
V
DSS
100V
R
DS(on)
max
39m
I
D
31A
Notes
through are on page 10
D-Pak
IRFR3410
I-Pak
IRFU3410
High frequency DC-DC converters
Benefits
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1.4
40
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
Absolute Maximum Ratings
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU3504ZPbF AUTOMOTIVE MOSFET
IRFU3518PbF HEXFET Power MOSFET
IRFU4104PBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 5.5mヘ , ID = 42A )
IRFR4104PBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 5.5mヘ , ID = 42A )
IRFU410 1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFR3410PBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 39mOhms 37nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR3410TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR3410TRPBF 功能描述:MOSFET 100V SINGLE N-CH 39mOhms 37nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR3410TRRPBF 功能描述:MOSFET 100V SINGLE N-CH 39mOhms 37nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR3411 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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