參數(shù)資料
型號： IRFU24N15DPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 234K
代理商： IRFU24N15DPBF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
8.2
–––
––– 30 45 I
D
= 14A
–––
7.4
11
–––
17
26
–––
11
–––
–––
53
–––
–––
19
–––
–––
15
–––
–––
890
–––
–––
220
–––
–––
46
–––
–––
1460
–––
–––
95
–––
–––
200
–––
Conditions
V
DS
= 25V, I
D
= 14A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
S
nC
V
DS
= 120V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 75V
I
D
= 14A
R
G
= 6.8
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 120V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 120V
pF
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
170
14
14
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 14A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 14A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
110
450
1.5
–––
–––
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
24
96
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.18 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
3.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Min. Typ. Max. Units
150
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
82
–––
–––
–––
–––
–––
95
5.0
25
250
100
-100
m
V
V
GS
= 10V, I
D
= 14A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU2905ZPBF 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRFU310PBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=400V , RDS(on)=3.6ヘ , ID=1.7A )
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IRFU3410PbF HEXFET Power MOSFET
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IRFU2905ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 59A 14.5mOhm 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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