參數(shù)資料
型號: IRFU12N25DPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 250V , RDS(on)max = 0.26ヘ , ID = 14A )
中文描述: HEXFET功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 250V時,RDS(on)的最大值\u003d 0.26ヘ,身份證\u003d 14A條)
文件頁數(shù): 3/11頁
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代理商: IRFU12N25DPBF
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
ID
5.0V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
TOP 15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
BOTTOM 5.0V
VGS
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
ID
5.0V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
TOP 15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
BOTTOM 5.0V
VGS
5.0
7.0
9.0
11.0
13.0
15.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
ID
(
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 15V
20μs PULSE WIDTH
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
T , Junction Temperature
( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
14A
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