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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFS654B |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 250V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 21 A, 250 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 867K |
| 代理商： | IRFS654B |
Rev. A, November 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
I
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 125V
V
DS
= 50V
V
DS
= 200V
※
Note : I
D
= 25 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
0
20
40
60
80
100
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
※
Note : T
J
= 25
℃
R
D
Ω
D
I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
※
Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
GS
V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
Bottom : 5.0 V
※
Notes :
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
2000
4000
6000
8000
C
oss
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
10
0
10
1
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRFS740B | 400V N-Channel MOSFET |
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| IRFS750A | Advanced Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IRFS720 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET |
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