參數(shù)資料
型號(hào)： IRFS750A
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 8.4 A, 400 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
文件大?。?/td> 274K
代理商： IRFS750A
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ V
DS
= 400V
Low R
DS(ON)
: 0.254 (Typ.)
Advanced Power MOSFET
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
R
JC
R
JA
/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25 )
Continuous Drain Current (T
C
=100 )
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25 )
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds
Characteristic
Value
400
8.4
5.3
60
+
_
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
A
TO-220F
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
O
1
O
O
1
O
1
2
O
3
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
θ
IRFS750A
BV
DSS
= 400 V
R
DS(on)
= 0.3
I
D
= 8.4 A
1210
8.4
4.9
4.0
49
0.39
- 55 to +150
300
2.55
62.5
--
--
30
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS840BF 500V N-Channel MOSFET
IRFSZ14A N-Channel Power MOSFET（60V，0.14Ω，8A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.14Ω，漏電流8A）)
IRFSZ34A N-Channel Power MOSFET（60V，0.04Ω，20A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.04Ω，漏電流20A）)
IRFSZ44A N-Channel Power MOSFET（60V，0.024Ω，30A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.024Ω，漏電流30A）)
IRFU310B 400V N-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
IRFS820 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220VAR
IRFS820A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
IRFS820B 功能描述:MOSFET 500V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS820BT 功能描述:MOSFET 500V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS821 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220VAR
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