參數(shù)資料
型號(hào)： IRFS520A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 7.2 A, 100 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大小： 251K
代理商： IRFS520A
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
IRFS520A
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
@ Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
Top : 1 5 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
25
o
C
175
o
C
- 55
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. V
DS
= 40 V
3. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
@ Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0.4
0.6
0.8
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
10
-1
10
0
10
1
175
o
C
25
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
10
0
10
1
0
200
400
600
C
iss
= C
gs
+ C
gd
( C
ds
= shorted )
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
5
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
15
20
0
5
10
V
DS
= 80 V
V
DS
= 50 V
V
DS
= 20 V
@ Notes : I
D
= 9.2 A
V
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS530 Advanced Power MOSFET
IRFS530A Advanced Power MOSFET
IRFS540A Advanced Power MOSFET
IRFS540 Advanced Power MOSFET
IRFS550A Advanced Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFS521 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-186
IRFS52N15D 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFS52N15DHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 51A 3PIN D2PAK - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 51A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
IRFS52N15DPBF 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 60nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS52N15DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor Transistor Polarity:N
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*