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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFR9120 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-5.6A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 100V的，的Rds（on）\u003d 0.60ohm，身份證\u003d- 5.6A） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 173K |
| 代理商： | IRFR9120 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFV360 | REPETITIVE AVALANCHE RATED AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR |
| IRFY044CM | 60V 0.040Ω N-Channel HEXFET Power MOSFET(60V 0.040Ω N溝道 HEXFET 功率 MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| IRFY140CM | 100 Volt, 0.077Ω,N-Channel HEXFET Power MOSFET(100 V, 0.077Ω,N溝道 HEXFET 功率 MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| IRFY340CM | 400 Volt,8.7A, 0.55Ω HEXFET Power MOSFET(400 V,8.7A, 0.55Ω HEXFET 功率 MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| IRFY430CM | 500 Volt, 1.5Ω N-Channel HEXFET Power MOSFET(500 V, 1.5Ω N溝道 HEXFET功率 MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFR9120_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-252 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR91209A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-252AA |
| IRFR91209AR3603 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFR9120N | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P D-PAK |
| IRFR9120NCPBF | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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