參數(shù)資料
型號(hào)： IRFR410
廠商： INTERSIL CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs(1.5A, 500V, 7.000 Ω N溝道MOSFET)
中文描述： 1.5 A, 500 V, 7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 55K
代理商： IRFR410
4-405
FIGURE 8. TRANSFER CHARACTERISTICS
FIGURE 9. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON
RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 10. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 11. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 12. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
150
o
C
25
o
C
V
GS
, GATE VOLTAGE (V)
I
D
,
3
1
0.13
4
5
6
7
8
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
DS
= 30V
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
3
2
1
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
O
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I
D
= 1.5A, V
GS
= 10V
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
C
RSS
C
OSS
C
ISS
300
250
200
150
100
50
00
5
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
15
20
25
C
150
o
C
25
o
C
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
I
S
,
3
1
0.10.4
0.5
0.6
0.7
0.8
1.0
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
GS
= 0V
V
DS
= 400V
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
I
D
= 1.5A
20
18
12
8
4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
12
13 14 15
Q
g(TOT)
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
G
,
IRFR410, IRFU410
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