參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP460ASPBF
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類： JFETs
英文描述： 20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SMD-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 115K
代理商： IRFP460ASPBF
IRFP460AS
4
www.irf.com
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
20
40
60
80
100
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
,
Gate-to-Source
Voltage
(V)
G
GS
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
D
13
19A
V
= 100V
DS
V
= 250V
DS
V
= 400V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
,Source-to-Drain Voltage (V)
I
,
Reverse
Drain
Current
(A)
SD
V
= 0 V
GS
T = 25 C
J
°
T = 150 C
J
°
1
10
100
1000
10000
100000
1
1 0
100
1000
C,
Ca
p
a
c
it
a
n
c
e
(p
F
)
DS
V
, D ra in-to -S ource V olta g e (V)
A
V
= 0V,
f = 1M H z
C
= C
+ C
, C
SH O RTED
C
= C
C
= C
+ C
GS
is s
g s
g d
d s
rs s
g d
o s s
d s
g d
C iss
C oss
Crss
20A
1
10
100
1000
10
100
1000
10000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY RDS(on)
Single Pulse
T
= 150 C
= 25 C
°
J
C
V
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
,
Drain
Current
(A)
I
,
Drain
Current
(A)
DS
D
10us
100us
1ms
10ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ24-019 17 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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IRH4054 RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE
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IRFP460C 功能描述:MOSFET 500V N-Channel C-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP460LC 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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