參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP440
廠商： INTERSIL CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 8.8A, 500V, 0.850 Ohm, N-Channel Power MOSFET(8.8A, 500V, 0.850 Ω, N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 8.8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 56K
代理商： IRFP440
4-351
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
1.25
1.05
0.85
60
-60
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
1.15
0.95
0.75
-20
20
100
B
0
-40
40
80
120 140
I
D
= 250
μ
A
160
1
2
10
20
50
100
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
3000
2400
1800
1200
600
0
5
C
RSS
C
ISS
C
OSS
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GS
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
3
6
9
12
0
15
15
12
9
0
6
g
f
,
3
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
DS
≥
50V
I
S
,
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
10
2
1
0.1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
10
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
12
24
36
48
0
60
4
20
8
V
G
16
V
DS
= 400V
I
D
= 8A
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
12
0
IRFP440
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP450 14A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET(14A, 500V, 0.400Ω, N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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IRFP440A 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.5A I(D) | TO-247VAR
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IRFP440R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.8A I(D) | TO-247
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