參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP9140
廠(chǎng)商： INTERSIL CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET
中文描述： 19 A, 100 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
文件大?。?/td> 59K
代理商： IRFP9140
4-57
File Number
2292.4
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.
http://www.intersil.com or 407-727-9207
|
Copyright
Intersil Corporation 1999
IRFP9140
19A, 100V 0.200 Ohm, P-Channel Power
MOSFET
This is an advanced power MOSFET designed, tested, and
guaranteed to withstand a specified level of energy in the
breakdown avalanche mode of operation. It is a P-Channel
enhancement mode silicon gate power field effect transistor
designed for applications such as switching regulators,
switching convertors, motor drivers, relay drivers, and drivers
for high power bipolar switching transistors requiring high
speed and low gate drive power. These types can be
operated directly from integrated circuits.
Formerly developmental type TA17521.
Features
19A, 100V
r
DS(ON)
= 0.200
Single Pulse Avalanche Energy Rated
SOA is Power Dissipation Limited
Nanosecond Switching Speeds
Linear Transfer Characteristics
High Input Impedance
Symbol
Packaging
JEDEC STYLE T0-247
Ordering Information
PART NUMBER
PACKAGE
BRAND
IRFP9140
TO-247
IRFP9140
NOTE: When ordering, use the entire part number.
G
D
S
DRAIN
(FLANGE)
SOURCE
DRAIN
GATE
Data Sheet
July 1999
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP9150 25A, 100V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFET
IRFR220 4.6A, 200V, 0.800 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(4.6A, 200V, 0.800 Ω,nN溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFU220 4.6A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFR420 2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs(2.5A, 500V, 3.000 Ω, N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFU420 2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP9140_R4941 功能描述:MOSFET TO-247 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP9140N 功能描述:MOSFET P-CH 100V 23A TO-247AC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFP9140NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 23A 3PIN TO-247AC - Bulk
IRFP9140NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -21A 117mOhm 64.7nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP9140PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 21 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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