參數(shù)資料
型號： IRFP264N
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=60mohm, Id=44A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 250V，的Rds（on）\u003d 60mohm，身份證\u003d 44A條）
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： IRFP264N
IRFP264N
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
GS
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
1000
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
BOTTOM
ID
10A
18A
25A
TOP
RG
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
DRIVER
A
15V
20V
GS
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRFP264PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 38 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRFP26N60LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 26 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP27N60K 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 27 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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