參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP240A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓為200V，導(dǎo)通電阻為0.18Ω，漏電流為20A）)
中文描述： 20 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 263K
代理商： IRFP240A
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ V
DS
= 200V
Lower R
DS(ON)
: 0.144 (Typ.)
Advanced Power MOSFET
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
R
JC
R
CS
R
JA
θ
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25 C
Continuous Drain Current (T
C
=100
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds
)
)
Characteristic
Value
200
20
12.7
80
+
_
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
o
C
A
TO-3P
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
IRFP240A
BV
DSS
= 200 V
R
DS(on)
= 0.18
I
D
= 20 A
267
20
18
5.0
180
1.45
- 55 to +150
300
0.69
--
40
--
0.24
--
30
O
1
O
O
1
O
1
2
O
3
o
C
o
C
o
C
θ
θ
o
C/W
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP244A N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓為250V，導(dǎo)通電阻為0.28Ω，漏電流為16A）)
IRFP244 N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓為250V，導(dǎo)通電阻為0.28Ω，漏電流為16A）)
IRFP250A Advanced Power MOSFET
IRFP254A N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓為250V，導(dǎo)通電阻為0.14Ω，漏電流為25A）)
IRFP254 N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓為250V，導(dǎo)通電阻為0.14Ω，漏電流為25A）)
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參數(shù)描述
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