參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP240A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為200V，導(dǎo)通電阻為0.18Ω，漏電流為20A）)
中文描述： 20 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大小： 263K
代理商： IRFP240A
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by “R
G
”
I
S
controlled by Duty Factor “D”
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
IRFP240A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP244A N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為250V，導(dǎo)通電阻為0.28Ω，漏電流為16A）)
IRFP244 N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為250V，導(dǎo)通電阻為0.28Ω，漏電流為16A）)
IRFP250A Advanced Power MOSFET
IRFP254A N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為250V，導(dǎo)通電阻為0.14Ω，漏電流為25A）)
IRFP254 N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為250V，導(dǎo)通電阻為0.14Ω，漏電流為25A）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP240B 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
IRFP240B_FP001 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP240B_FP001_Q 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP240FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR
IRFP240N_R4942 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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