參數(shù)資料
型號： IRFP250A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 32 A, 200 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 256K
代理商： IRFP250A
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ V
DS
= 200V
Low R
DS(ON)
: 0.071 (Typ.)
Advanced Power MOSFET
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
R
JC
R
CS
R
JA
θ
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
Continuous Drain Current (T
C
=100
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8 “ from case for 5-seconds
)
)
)
Characteristic
Value
200
32
20.3
130
+
_
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
o
C
A
TO-3P
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
IRFP250A
BV
DSS
= 200 V
R
DS(on)
= 0.085
I
D
= 32 A
683
32
20.4
5.0
204
1.63
- 55 to +150
300
0.61
--
40
--
0.24
--
30
O
1
O
O
1
O
1
2
O
3
o
C
o
C
o
C
o
C
θ
θ
o
C/W
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP254A N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為250V，導(dǎo)通電阻為0.14Ω，漏電流為25A）)
IRFP254 N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為250V，導(dǎo)通電阻為0.14Ω，漏電流為25A）)
IRFP340A N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為400V，導(dǎo)通電阻為0.55Ω，漏電流為11A）)
IRFP340B 400V N-Channel MOSFET
IRFP350A Advanced Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP250B 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
IRFP250B_FP001 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP250B_FP001_Q 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP250MPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP250N 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-247
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*