參數資料
型號： IRFP150
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 40A, 100V, 0.055 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(40A, 100V, 0.055 Ohm,N溝道增強型功率MOS場效應管)
中文描述： 40 A, 100 V, 0.055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
文件頁數： 5/7頁
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代理商： IRFP150
5
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
1.25
1.05
0.85
60
-60
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
1.15
0.95
0.75
-20
20
100
160
B
0
-40
40
80
120 140
I
D
= 250
μ
A
1
2
10
2
5
10
2
C
P
F
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
5000
4000
3000
2000
1000
0
5
C
RSS
C
ISS
C
OSS
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
12
24
36
48
0
60
30
24
18
0
12
g
f
,
6
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
DS
=
≥
20V
I
S
,
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
10
3
10
2
10
1
0
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
30
60
90
120
0
150
4
20
8
V
G
,
16
V
DS
= 80V
I
D
= 40A
12
0
V
DS
= 50V
V
DS
= 20V
IRFP150
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