參數(shù)資料
型號(hào)： IRFB9N30A
廠商： International Rectifier
英文描述： N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： N溝道HEXFET功率MOSFET的（不適用溝道的HEXFET功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
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代理商： IRFB9N30A
IRFB9N30A
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM
VGS
4.5V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
1
10
100
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
TOP
BOTTOM
VGS
15V
7.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
1
10
100
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
°
T = 150 C
°
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
9.3A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFBA31N50L SMPS MOSFET(開關(guān)模式電源MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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IRFBA35N60C SMPS MOSFET(開關(guān)模式電源MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFB9N60 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.75ohm, Id=9.2A)
IRFB9N60A 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB9N60APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB9N65 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=8.5A)
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