參數(shù)資料
型號： IRF9Z34NS
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 55V的，的Rds（on）\u003d 0.10ohm，身份證\u003d- 19A條）
文件頁數(shù)： 7/10頁
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代理商： IRF9Z34NS
IRF9Z34NS/L
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
[ ] ***
V
DD
[ ]
I
[ ]
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
*
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
V
GS
***
V
GS
= 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For P-Channel HEXFETS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF9Z34N P-Channel HEXFET Power MOSFET(P溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
IRFAC30 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
IRFAE30 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
IRFAE50 HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
IRFB260 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF9Z34NSPBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9Z34NSTRL 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF9Z34NSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9Z34NSTRR 功能描述:MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF9Z34NSTRRPBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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