參數(shù)資料
型號： IRF9Z34NL
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 55V的，的Rds（on）\u003d 0.10ohm，身份證\u003d- 19A條）
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大小： 162K
代理商： IRF9Z34NL
IRF9Z34NS/L
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-10V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
tp
V
(BR)DSS
I
AS
RG
IAS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
VDD
DRIVER
A
15V
-20V
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
0
100
200
300
400
500
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
I
TOP -4.2A
-7.2A
BOTTOM -10A
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF9Z34NS Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
IRF9Z34N P-Channel HEXFET Power MOSFET(P溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
IRFAC30 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
IRFAE30 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
IRFAE50 HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF9Z34NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9Z34NS 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P D2-PAK
IRF9Z34NSPBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9Z34NSTRL 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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