參數(shù)資料
型號(hào)： IRF9Z34NL
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 55V的，的Rds（on）\u003d 0.10ohm，身份證\u003d- 19A條）
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大小： 162K
代理商： IRF9Z34NL
IRF9Z34NS/L
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V
DS
-10V
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T
t / t
x Z
=P
+ T
2
J
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
T , Case Temperature
(°
I
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF9Z34NS Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
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IRFAE30 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
IRFAE50 HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
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參數(shù)描述
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