- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄377507 > IRF9140 (International Rectifier) -100V,Thru-Hole Radiation Hardened Power MOSFET(-100V,通孔安裝抗輻射功率P溝道MOSFET) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF9140 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | -100V,Thru-Hole Radiation Hardened Power MOSFET(-100V,通孔安裝抗輻射功率P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | - 100V的，通孔抗輻射功率MOSFET（- 100V的，通孔安裝抗輻射功率P溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/7頁(yè) |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | IRF9140 |
IRF9140
6
www.irf.com
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
V
DS
V
DD
DRIVER
A
15V
-10V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-10V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
-12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9540S | HEXFET Power MOSFET |
| IRF9Z34L | Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.14ohm, Id=-18A) |
| IRF9Z34S | Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.14ohm, Id=-18A) |
| IRF9Z34NL | Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A) |
| IRF9Z34NS | Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF9140SM | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | LLCC |
| IRF9141 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9142 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9143 | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF9150 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 25A 3PIN TO-3 - Bulk |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。