參數(shù)資料
型號(hào): IRF830ASTRR
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五(巴西)直| 5A條(?。﹟對263AB
文件頁數(shù): 9/10頁
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代理商: IRF830ASTRR
IRF830AS/L
www.irf.com
9
TO-262
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF830FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR
IRF831FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR
IRF832FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB
IRF833FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB
IRF830 PowerMOS transistor Avalanche energy rated
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF830B 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF830BPBF 功能描述:MOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF830FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR
IRF830FP 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
IRF830H 制造商:HAR 功能描述:IRF830 HARRIS