參數(shù)資料
型號(hào)： IRF830ASTRR
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）直| 5A條（?。﹟對(duì)263AB
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 190K
代理商： IRF830ASTRR
IRF830AS/L
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
T = 25 C
20μs PULSE WIDTH
TOP
BOTTOM
VGS
4.5V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
0.1
1
10
100
1
10
100
T = 150 C
20μs PULSE WIDTH
TOP
BOTTOM
VGS
15V
7.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
0.1
1
10
100
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
20μs PULSE WIDTH
V = 50V
DS
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
T = 150 C
°
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
I =
V
=
GS
10V
5.0A
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF830FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR
IRF831FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR
IRF832FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB
IRF833FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB
IRF830 PowerMOS transistor Avalanche energy rated
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF830B 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF830BPBF 功能描述:MOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF830FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR
IRF830FP 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
IRF830H 制造商:HAR 功能描述:IRF830 HARRIS
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