參數(shù)資料
型號： IRF7910
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 122K
代理商： IRF7910
IRF7910
6
www.irf.com
Fig 13.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 12.
On-Resistance Vs. Drain Current
Fig 14a&b.
Basic Gate Charge Test Circuit
and Waveform
Fig 15a&b.
Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
Fig 15c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
Starting T , Junction Temperature
( C)
E
A
ID
TOP
BOTTOM
3.6A
6.4A
8.0A
0
20
40
60
80
100
ID , Drain Current (A)
0.0120
0.0125
0.0130
0.0135
0.0140
0.0145
RD
)
VGS = 4.5V
2.5
3.5
4.5
5.5
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.010
0.013
0.015
0.018
0.020
RD
)
ID = 8.0A
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