參數(shù)資料
型號: IRF7757
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=20V)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 20V的)
文件頁數(shù): 7/9頁
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代理商: IRF7757
IRF7757
www.irf.com
7
Fig 15.
Typical Threshold Voltage Vs.
Junction Temperature
Fig 16.
Typical Power Vs. Time
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature (
°
C )
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
VG
ID = 250μA
1.00
10.00
100.00
1000.00
Time (sec)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
P
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PDF描述
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IRF7757TR 功能描述:HEXFET TSSOP-8 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7757TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 4.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRF7759L2TR1PBF 功能描述:MOSFET 75V 160A 2.3mOhm 220nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube