參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7757
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=20V)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的）
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 132K
代理商： IRF7757
IRF7757
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25
°
C, I
S
= 1.2A, V
GS
= 0V
T
J
= 25
°
C, I
F
= 1.2A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
20
10
1.2
30
15
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
A
19
–––
–––
–––
1.2
–––
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Notes:
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
Surface mounted on 1 in square Cu board
Parameter
Min. Typ. Max. Units
20
–––
–––
0.013
–––
–––
–––
–––
–––
0.60
–––
11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
15
–––
2.5
–––
4.8
–––
9.5
–––
9.2
–––
36
–––
14
–––
1340
–––
–––
180
–––
132
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25
°
C, I
D
= 1mA
V
GS
= 4.5V, I
D
= 4.8A
V
GS
= 2.5V, I
D
= 3.8A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 10V, I
D
= 4.8A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 70
°
C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
I
D
= 4.8A
V
DS
= 16V
V
GS
= 4.5V
V
DD
= 10V
I
D
= 1.0A
R
G
= 6.2
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz
V/
°
C
35
40
1.2
–––
1.0
25
100
-100
23
–––
–––
–––
–––
–––
–––
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
–––
–––
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
μA
m
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
nA
ns
S
D
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7910 HEXFET Power MOSFET
IRF840A SMPS MOSFET(開(kāi)關(guān)模式電源MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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IRF840STRR Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A)
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