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參數(shù)資料
| 型號： | IRF7555 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率 MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 7/7頁 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | IRF7555 |
IRF7555
www.irf.com
7
Tape & Reel Information
Micro8
Dimensions are shown in millimeters (inches)
330.00
(12.992)
M AX.
14.40 ( .566 )
12.40 ( .488 )
NO TES :
1. C O NTR OLLING D IM EN SIO N : MILLIMETER .
2. O U TLINE C ON FO RM S TO EIA-481 & EIA-541.
FEED DIR EC TIO N
TER M IN AL NU M BER 1
12.3 ( .484 )
11.7 ( .461 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
NOTES:
1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
2. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 252 7105
IR GREAT BRITAIN:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR JAPAN:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 838 4630
IR TAIWAN:
16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673, Taiwan Tel: 886-2-2377-9936
Data and specifications subject to change without notice. 2/2000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7726 | Power MOSFET(Vdss=-30V) |
| IRF7751 | RES 8K-OHM 1% 0.125W 100PPM THICK-FILM SMD-0805 5K/REEL-7IN-PA |
| IRF7752 | Dual N-Channel MOSFET(雙 N溝道 MOS場效應(yīng)管) |
| IRF7754 | Power MOSFET(Vdss=-12V) |
| IRF7755 | -20V,P-Channel HEXFET Power MOSFET(-20V,P溝道 HEXFET功率MOS場效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF7555HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube |
| IRF7555PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL PP MICRO-8 |
| IRF7555TR | 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| IRF7555TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 4.3A Micro 8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7601 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N MICRO-8 |
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