參數(shù)資料
型號： IRF7534D1
廠商： International Rectifier
英文描述： Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode(同封裝 HEXFET晶體管和肖特基二極管)
中文描述： 共同封裝的HEXFET功率MOSFET和肖特基二極管（同封裝的HEXFET晶體管和肖特基二極管）
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 106K
代理商： IRF7534D1
IRF7534D1
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
0.1
0.0001
1
10
100
1000
0.001
0.01
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.1
1
10
100
2. Peak T =P
Notes:
1. Duty factor D = t / t
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
(THERMAL RESPONSE)
SINGLE PULSE
Power MOSFET Characteristics
0
5
10
15
20
-ID , Drain Current (A)
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
RD
)
VGS = -4.5V
VGS = -2.5V
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
-VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.04
0.06
0.08
0.10
RD
)
ID = -4.3A
Fig 9.
Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Fig 10.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF7534D1TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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