參數資料
型號： IRF7524D1
廠商： International Rectifier
英文描述： Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode(同封裝 HEXFET晶體管和肖特基二極管)
中文描述： 共同封裝的HEXFET功率MOSFET和肖特基二極管（同封裝的HEXFET晶體管和肖特基二極管）
文件頁數： 3/8頁
文件大小： 151K
代理商： IRF7524D1
IRF7524D1
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.01
0.1
1
10
1.5
2.0
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
T = 25°C
T = 150°C
D
A
-
V = -10V
20μs PULSE W IDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T , Junction Temperature (°C)
R
D
(
A
I = -1.2A
V = -4.5V
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-7.50V
-4.00V
-2.50V
-1.50V
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-1.50V
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM
VGS
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-1.50V
Power Mosfet Characteristics
相關PDF資料
PDF描述
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參數描述
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IRF7524D1PBF 功能描述:MOSFET FETKY -20V 0.27Ohm Vf 0.39V Micro8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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