參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7495
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 154K
代理商： IRF7495
IRF7495
www.irf.com
7
SO-8 Package Details
SO-8 Part Marking
EXAMPLE: THIS IS AN IRF7101 (MOSFET)
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
F7101
YWW
XXXX
PART NUMBER
LOT CODE
WW = WEEK
Y = LAST DIGIT OF THE YEAR
DATE CODE (YWW)
e1
H
K
L
D
E
e
y
b
c
A
A1
.189
.1497
.050 BASIC
.025 BASIC
0°
.013
.0075
.0532
.0040
.2284
.0099
.016
.1968
.1574
8°
.020
.0098
.0688
.0098
.2440
.0196
.050
4.80
3.80
1.27 BASIC
0.635 BASIC
0.33
0.19
1.35
0.10
5.80
0.25
0.40
0°
5.00
4.00
0.51
0.25
1.75
0.25
6.20
0.50
1.27
8°
MIN
MAX
MILLIMETERS
MIN
INCHES
MAX
DIM
8
7
5
6
5
D
B
E
A
e
6X
H
0.25 [.010]
A
6
7
K x 45°
8X L
8X c
y
0.25 [.010]
C A B
e1
A
A1
8X b
C
0.10 [.004]
4
3
1
2
FOOTPRINT
8X 0.72 [.028]
6.46 [.255]
3X 1.27 [.050]
4. OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE MS-012AA.
5 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS.
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.15 [.006].
NOTES:
1. DIMENSIONING & TOLERANCING PER ASME Y14.5M-1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER
3. DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS [INCHES].
6 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS.
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.25 [.010].
7 DIMENSION IS THE LENGTH OF LEAD FOR SOLDERING TO
A SUBSTRATE.
8X 1.78 [.070]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7503PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7521D1 FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm, Schottky Vf=0.39V)
IRF7524D1 Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode(同封裝 HEXFET晶體管和肖特基二極管)
IRF7534D1 Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode(同封裝 HEXFET晶體管和肖特基二極管)
IRF7555 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率 MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7495PBF 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 22mOhms 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7495TR 功能描述:MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7495TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 7.3A 22mOhm 34nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7501 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL NN MICRO-8
IRF7501HR 制造商:International Rectifier 功能描述:20V DUAL N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A MICRO 8 PACKAGE - Rail/Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*