參數(shù)資料
型號： IRF7495
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 154K
代理商： IRF7495
www.irf.com
1
09/23/03
IRF7495
HEXFET Power MOSFET
R
DS(on)
max
22m @V
GS
= 10V
High frequency DC-DC converters
Benefits
Low Gate to Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
Notes
through
are on page 8
SO-8
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8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
D
G
S
A
S
S
A
V
DSS
100V
I
D
7.3A
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
V
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
A
W
Linear Derating Factor
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
W/°C
V/ns
°C
dv/dt
T
J
T
STG
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
°C/W
R
θ
JL
R
θ
JA
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
7.3
-55 to + 150
0.02
2.5
Max.
100
± 20
7.3
4.6
58
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7503PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7521D1 FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm, Schottky Vf=0.39V)
IRF7524D1 Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode(同封裝 HEXFET晶體管和肖特基二極管)
IRF7534D1 Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode(同封裝 HEXFET晶體管和肖特基二極管)
IRF7555 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率 MOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7495PBF 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 22mOhms 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7495TR 功能描述:MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7495TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 7.3A 22mOhm 34nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7501 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL NN MICRO-8
IRF7501HR 制造商:International Rectifier 功能描述:20V DUAL N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A MICRO 8 PACKAGE - Rail/Tube
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