參數(shù)資料
型號： IRF740D
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五（巴西）直| 10A條（?。﹟ TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 149K
代理商： IRF740D
IRF7343
0
10
ID
20
30
40
0.040
0.060
0.080
0.100
0.120
R
D
VGS = 10V
VGS = 4.5V
Fig 5.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 8.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 6.
Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Fig 7.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
N-Channel
)
R
D
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
4.7A
25
50
75
100
125
150
0
40
80
120
160
200
Starting T , Junction Temperature
( C)
E
A
ID
2.1A
3.8A
4.7A
TOP
BOTTOM
0.030
0.050
0.070
0.090
0.110
0.130
2
4
6
8
10
12
A
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
I = 4.7 A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF740FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-220VAR
IRF740LC TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
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IRF7421D1 30V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package
IRF7422D2 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 4.6A I(D) | SO
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IRF740LC 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF740LCL 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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