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參數(shù)資料
| 型號： | IRF740D |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五（巴西）直| 10A條（?。﹟ TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 10/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 149K |
| 代理商： | IRF740D |
IRF7343
SO8
Dimensions are shown in millimeters (inches)
Tape & Reel Information
330.00
(12.992)
M AX.
14.40 ( .566 )
12.40 ( .488 )
NOT ES :
1. CON TRO LLING DIM ENSION : M ILLIM ETER .
2. OUTLINE C ON FOR MS T O EIA-481 & EIA-541.
FEED D IRECT ION
T ER M INAL NU MBER 1
12.3 ( .484 )
11.7 ( .461 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
NOTES:
1. CONTRO LLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. ALL DIMENSIO NS ARE SHOW N IN MILLIMETERS(INCHES).
3. OUTLINE CONFO RMS TO EIA-481 & EIA-541.
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice.
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF740FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-220VAR |
| IRF740LC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB |
| IRF7420 | -12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
| IRF7421D1 | 30V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package |
| IRF7422D2 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 4.6A I(D) | SO |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF740FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-220VAR |
| IRF740HAR | 制造商:HAR 功能描述:IRF740 HARRIS |
| IRF740L | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF740LC | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF740LCL | 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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